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EMH2308
0 μ
1m
ms
0m
e a
s
t o
n(
Ta
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --10V
ID= --3A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
IDP= --20A
ID= --3A
ASO
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
10
r
i
10
=
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
)
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01
--0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
--0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
1.4
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14541
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14542
1.0
To
al
ni
0.8
0.6
t
1u
di
t
ss
ip
ati
on
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14543
No. A1445-4/7
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